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簡(jiǎn)要描述:介電常數(shù)測(cè)量?jī)x產(chǎn)品用途:固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試適用材料:橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等測(cè)試范圍:10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ主要配置:主機(jī)Q表、夾具、電感組成測(cè)試項(xiàng)目:介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值
產(chǎn)品分類
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產(chǎn)品名稱:介電常數(shù)測(cè)試儀介紹
產(chǎn)品型號(hào):LJD-B、LJD-C、QS-37
符合標(biāo)準(zhǔn):GB/T1409、GB/T5594
產(chǎn)品用途:固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試
適用材料:橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等
測(cè)試范圍:10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ
主要配置:主機(jī)Q表、夾具、電感組成
測(cè)試項(xiàng)目:介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值
使用人群:科研所、教學(xué)、質(zhì)量監(jiān)督局、軍工單位等
付款方式:全款發(fā)貨
產(chǎn)品品牌:縱橫金鼎
產(chǎn)品貨期:1-3個(gè)工作日
產(chǎn)品類別:電性能檢測(cè)儀器
介電常數(shù)測(cè)量?jī)xLKI-2電感組
LKI-2型電感組共包括不同電感量的電感9個(gè),凡儀器在進(jìn)行測(cè)試線圈的分布電容量,電容器的電容量,高頻介質(zhì)損耗,高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時(shí),必須用電感組作輔助工具。
本電感組有較高Q值,能使儀器測(cè)量時(shí)得到尖銳諧振點(diǎn),因而增加其測(cè)量的準(zhǔn)確度,各電感的有關(guān)數(shù)據(jù)如下表:
電感No | 電感量 | 準(zhǔn)確度% | Q值≥ | 分布電容約略值 | 諧振頻率范圍 MHz | 適合介電常數(shù)測(cè)試頻率 | |
LJD-B | LJD-C | ||||||
1 | 0.1μH | ±0.05μH | 180 | 5pF | 20~70 | 31~103 | 50MHz |
2 | 0.5μH | ±0.05μH | 200 | 5pF | 10~37 | 14.8~46.6 | 15MHz |
3 | 2.5μH | ±5% | 200 | 5pF | 4.6~17.4 | 6.8~21.4 | 10MHz |
4 | 10μH | ±5% | 200 | 6pF | 2.3~8.6 | 3.4~10.55 | 5MHz |
5 | 50μH | ±5% | 180 | 6pF | 1~3.75 | 1.5~4.55 | 1.5MHz |
6 | 100μH | ±5% | 200 | 6pF | 0.75~2.64 | 1.06~3.20 | 1MHz |
7 | 1mH | ±5% | 150 | 8pF | 0.23~0.84 | 0.34~1.02 | 0.5MHz |
8 | 5mH | ±5% | 130 | 8pF | 0.1~0.33 | 0.148~0.39 | 0.25MHz |
9 | 10mH | ±5% | 90 | 8pF | 0.072~0.26 | 0.107~0.32 | 0.1MHz |
介電常數(shù)測(cè)量?jī)x附錄 二
一 如何測(cè)試帶粘性超薄絕緣材料的介電常數(shù)
1 用錫箔紙覆膠在材料的兩面,上下層錫箔紙不能接觸。錫箔紙厚度為DX;
2 超薄材料需要疊加:疊加方式如下
250μ貼合6層后測(cè)試;
200μ貼合8層后測(cè)試;
175μ貼合9層后測(cè)試;
125μ貼合12層后測(cè)試;
100μ貼合15層后測(cè)試;
75μ貼合20層后測(cè)試;
50μ貼合30層后測(cè)試。
3 計(jì)算公式
Σ=(D2-2*DX)/(D4-2*DX)
4 介質(zhì)損耗系數(shù)測(cè)試同理
七、產(chǎn)品的交收檢驗(yàn)
1.檢驗(yàn)環(huán)境要求
a.環(huán)境溫度:20℃±2℃ 相對(duì)濕度<50%;
b.供電電源:220V±10V 50Hz±1Hz;
c.被檢設(shè)備要預(yù)熱30分鐘以上。
2.檢驗(yàn)設(shè)備要求
a. 設(shè)備應(yīng)在計(jì)量后的有效使用期內(nèi);
b. 檢驗(yàn)設(shè)備應(yīng)按儀器規(guī)定預(yù)熱。
3.Q值指示檢驗(yàn)
a.檢驗(yàn)設(shè)備:BQG-2標(biāo)準(zhǔn)線圈一套;
b.把標(biāo)準(zhǔn)Q值線圈接入LJD-C測(cè)試儀電感接線柱上;
c.選擇標(biāo)準(zhǔn)Q值線圈所規(guī)定的檢定頻率;
d.LJD-C測(cè)試儀的Q值讀數(shù)的相對(duì)誤差應(yīng)符合二.1.C條固有誤差所規(guī)定。
4.調(diào)諧電容器準(zhǔn)確度檢驗(yàn)
a. 測(cè)試時(shí)如發(fā)現(xiàn)干擾,應(yīng)斷開內(nèi)部信號(hào)源。
b.設(shè)備連接如圖六所示,連接線應(yīng)盡量短,盡可能減小分布電容;
圖 六
c.電容測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)
測(cè)試范圍:10-550pF、±5pF;
測(cè)試精度:10-550pF±0.1%、±5pF±0.05pF;
d.調(diào)諧電容器刻度盤上指示值與電容測(cè)試儀指示值之間誤差應(yīng)符合二.3.條規(guī)定。
5.頻率指示誤差檢驗(yàn)
a.設(shè)備連接如圖七所示
圖 七
b.從后面板的頻率監(jiān)測(cè)端用BNC電纜連至頻率計(jì)數(shù)器輸入端;
c.頻率計(jì)數(shù)器技術(shù)要求
測(cè)量范圍:10Hz-1000MHz;
測(cè)量誤差:<1×10-6;
測(cè)量靈敏度:<30mV;
d.測(cè)試線要求:高頻電纜$YV-50-3;
e.-B測(cè)試儀頻率指示值與頻率計(jì)數(shù)器讀數(shù)值間的誤差應(yīng)符合二.4.條規(guī)定。
附:貼片元件測(cè)試夾具使用方法
當(dāng)采用我公司生產(chǎn)的QBG-3D/3E及LJD-C測(cè)試儀及配上相應(yīng)的貼片元件測(cè)試夾具時(shí)可對(duì)貼片電容及貼片電感進(jìn)行電容量、電感量及Q值、tgδ值的測(cè)量,測(cè)量時(shí)只要將測(cè)試夾具接入相應(yīng)的Lx或Cx接線柱內(nèi),然后按說(shuō)明書中“3”高頻線圈電感值的測(cè)量及“5”電容器電容量的測(cè)量方法進(jìn)行測(cè)量。
注意:因貼片元件尺寸較小,規(guī)格又不盡相同,因此放入夾具時(shí)應(yīng)保持盡量居中并保證接觸良好。
在測(cè)量小電感時(shí),為了測(cè)試值的正確性,測(cè)得的讀數(shù)應(yīng)減去儀器的測(cè)試回路的剩余電感值,QBG-3D約27nH,QBG-3E約26nH,LJD-C約7nH(包括測(cè)試夾具)。
ASTM D150-11
實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和
電容率(介電常數(shù))的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法1
本標(biāo)準(zhǔn)是以固定代號(hào)D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過(guò)的年號(hào);在有修訂的情況下,為上一次的修訂年號(hào);圓括號(hào)中數(shù)字為上一次重新確認(rèn)的年號(hào)。上標(biāo)符號(hào)(ε)表示對(duì)上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。
本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于國(guó)防部所有機(jī)構(gòu)。
1.介電常數(shù)測(cè)試儀范圍
1.1 本試驗(yàn)方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時(shí),實(shí)心電絕緣材料樣本的相對(duì)電容率,耗散因子,損耗指數(shù),功率因子,相位角和損耗角的測(cè)定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。
注1:在普遍的用法,“相對(duì)”一詞經(jīng)常是指下降值。
1.2 這些試驗(yàn)方法提供了各種電極,裝置和測(cè)量技術(shù)的通用信息。讀者如對(duì)某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話,必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測(cè)試材料的其它文件。2,3
1.3 本標(biāo)準(zhǔn)并沒有列舉所有的安全聲明,如果有必要,根據(jù)實(shí)際使用情況進(jìn)行斟酌。使用本規(guī)范前,使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范,并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險(xiǎn)說(shuō)明見7.2.6.1和10.2.1。
1 本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會(huì)管轄,并由電學(xué)試驗(yàn)D09.12附屬委員分會(huì)直接管理。
當(dāng)前版本核準(zhǔn)于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準(zhǔn)。前一較新版本于2004年批準(zhǔn),即為 D150-98R04。DOI:10.1520/D0150-11。
2 R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測(cè)量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能, 測(cè)量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.
3 R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.
2.介電常數(shù)測(cè)試儀引用文件
2.1 ASTM標(biāo)準(zhǔn):4
D374 固體電絕緣材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
D618 試驗(yàn)用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程
D1082 云母耗散因子和電容率(介電常數(shù))試驗(yàn)方法
D1531 用液體位移法測(cè)定相對(duì)電容率(介電常數(shù))與耗散因子的試驗(yàn)方法
D1711 電絕緣相關(guān)術(shù)語(yǔ)
D5032 用飽和甘油溶液方式維持恒定相對(duì)濕度的規(guī)程
E104 用水溶液保持相對(duì)恒定濕度的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
E197 室溫之上和之下試驗(yàn)用罩殼和服役元件規(guī)程(1981年取消)5
3.介電常數(shù)測(cè)試儀術(shù)語(yǔ)
3.1 定義:
3.1.1 這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。
3.2 本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)定義:
3.2.1 電容,C,名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí),導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。
3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位,電位采用伏特為單位時(shí),電容單位為法拉,即:
C=q/V ?。?)
3.2.2 耗散因子(D),(損耗角正切),(tanδ),名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對(duì)電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(見圖1和圖2)。
D=K''/K' (2)
4 相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn),可瀏覽ASTM網(wǎng)站,astm.org或與ASTM客服service@astm.org聯(lián)系。ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)卷次信息,可參見ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。
5 該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版本參考網(wǎng)站.astm.org。
3.2.2.1 討論——a:
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
式中:
G=等效交流電導(dǎo),
Xp=并聯(lián)電抗,
Rp=等效交流并聯(lián)電阻,
Cp=并聯(lián)電容,
ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q,有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:
D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求:
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2 (6)
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